【電気モメン集合】中国が生み出した衝撃のトランジスタ構造、やばすぎる

　BSPDNとは、トランジスタおよび信号用配線をウエハーの表面に形成した後、電源供給線をトランジスタの裏面に構築する技術である。Intelはこの技術を「Power Via」と呼び、「18A」プロセスから採用する見込みである。

　BSPDN（あるいはPower Via）が必要とされる理由は、主に2つある。

　1つ目は、従来の電源供給方式では、トランジスタや信号線の上部から電源を供給する構造となっていたため、長い電源経路をたどる中で電圧降下が生じやすかった点である。裏面から直接電源を供給すれば、このような電圧降下を大幅に抑制できる。

　2つ目は、従来、10層以上の信号線と太い電源線がトランジスタの上部に混在して形成されていたことにより、信号と電源が干渉しやすく、配線設計上の制約が大きかった点である。信号線をウエハー表面に、電源線を裏面に分離することにより、両者の干渉が排除され、ウエハー表面の配線密度を高めることが可能となる。　

https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2507/02/news036.html

さすが父さん

（1）Self-aligned Activeの手法により、FETのチャネル領域を形成する。
（2）素子分離（Shallow Trench Isolation、STI）構造を形成する。
（3）FrontsideにNMOSトランジスタおよびその配線層を形成する。
（4）形成済みのシリコンウエハーに対して、別のウエハーをボンディングする。
（5）ウエハーを上下反転（Flip）させる。これが本プロセスのキーポイントとなる。
（6）反転後、上側になったウエハーを薄化する。
（7）さらにシリコンを除去し、Active層を露出させる。
（8）BacksideにPMOSトランジスタおよびその配線層を形成する。

でもお前10nmじゃん

ガンダムだとどのへんなのか

こんな専門的なスレ伸びるわけねーだろ

　なぜこれほどまでに驚かされたのか。自問してみると、「複数回にわたりウエハーを反転（Flip）させるという大胆なアイデアに仰天したこと」、さらに「そのアイデアを、中国の北京大学というアカデミアが、300mmウエハーを用いて実証したこと」が主な理由であると考えられる。

よくわからん

どうせ爆発するんやろ？

立てる板、間違えてますよ😥

ふむ、わからん

USBで充電できるけど
コネクタが壊れやすいので使えません

安倍晋三で例えると？

密度が上がってかつ実証済みなんだよ

おしえて賢モメン🥺

素人だからさっぱりわからんけど何かエ口に使えるのか？

いつ実現するか分からない量子コンピュータより先にCPUの性能爆上がりって事なのだろうか

理系ですらトランジスタはスイッチってことすら理解してないのが大半なのがこの国

これで何が変わるの

量産出来るの？

何で今までできなかったの？
やろうとしなかっただけ？

片面に3D積み重ねるんじゃなくてウエハクルクルして両面焼きしてくのか

プロービングが面倒だな　確か30年ほど前にこのタイプのウェハーがあった　目新しいアイデアではない　俺は中の人だったから知っている

>>1
全然中国が生み出してなくて草