「逃げなさい。フラッシュメモリが落ちてくるのです」…日本製HDD増産でSSDバブル崩壊すると中国が警告

業界レポートによると、YMTCはフェーズ3の生産能力の約50％をNANDではなくDRAMに割り当てることを決定したとされている。また、AIアクセラレーターとともに広く使用されている広帯域メモリ（HBM）にDRAMを積層するためのシリコン貫通電極（TSV）ベースのパッケージング技術の開発に取り組んでいるという。

YMTCはLPDDRのサンプル提供を顧客向けに開始していて、年末までにフィードバックを得る予定だという報道もある。その結果によって、YMTCが新工場に割り当てるDRAMの生産能力が決定される可能性が高い。

注目すべきは、中国のもう一つの主要メモリチップメーカーであるCXMT（ChangXin Memory Technologies）が、AIデータセンター向けのハイエンドDRAM技術に既に目をつけている点だ。CXMTはDRAM生産能力の20％をHBM3に移行していて、2026年後半にはHBM3の量産認証取得を目指している。さらに、HBM3Eチップは2年以内に出荷開始される見込みだ。

米国の貿易制裁にもかかわらず、中国で2社のメモリチップメーカーが台頭したことは、世界的にメモリの供給不足が深刻化する中で、中国の半導体自給自足の取り組みにおける決定的な瞬間といえる。さらに重要なのは、中国のメモリチップメーカーが、製造装置や材料を地元企業（中国企業）から調達しながら、新工場を建設している点である。

https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2604/22/news062_2.html