【半導体】EUVオワコンへ!これからはNILの時代に

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1 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:22:28.77 ID:ZpHZvppX0

キヤノンの次世代半導体製造装置「ナノインプリントリソグラフィ(NIL)装置=用語参照」が動き出す。
同社は26日、NIL装置を発売後初めて納入すると発表し、米テキサス大学オースティン校が支援する半導体研究のコンソーシアム「TIE」向けに出荷を開始した。
先端半導体の製造では蘭ASMLの極端紫外線(EUV)露光装置が覇権を握るが、キヤノンはNIL装置をてこに最先端への再参入を狙う。

EUVより低コストで微細化…キヤノンが半導体装置巻き返し、ナノインプリントで再参入の勝算
https://newswitch.jp/p/43097

2 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:23:18.19 ID:ZpHZvppX0
今回納入するNIL装置はTIEでの半導体デバイスの試作に使われる予定。
キヤノンの光学機器事業本部の岩本和徳副事業本部長は「NILは低価格で半導体を製造でき、試作に向く」と話す。

キヤノンにとってNIL装置は先端半導体分野への再参入をかける「戦略装置」だ。

半導体露光装置では、回路の微細化が進むごとに波長の短い光源を利用する。
特に7ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の先端半導体ではEUV露光装置が不可欠だ。
一方、光源の波長が短くなるほど、物質に吸収されやすくなる。EUV露光装置は光源の出力を高めることで半導体製造に使えるようにした。

ただ、EUV露光装置の製造は難しい。ニコンとキヤノンは厳しい開発競争に敗れ、両社ともに撤退した過去がある。現在はASMLが世界で唯一製造する。

10数年ぶりに最先端露光装置への参入を目指すキヤノンは、従来の光を転写する露光装置ではなく、はんこを押すように回路を形成できるNIL装置の開発を進めてきた。
同装置は従来に比べ簡便な方法で微細な回路を形成できるメリットがある。

キヤノンは14年に米モレキュラーインプリントを買収し、開発を本格化。キオクシアに同装置を納入。
キヤノン、キオクシア、大日本印刷の3社で共同開発を続け、23年に発売した。実用化まで約10年を投じてきた。

3 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:25:25.27 ID:JRDz8fMb0
EUVより微細化はウソだし、歩留まりも悪い

ランニングコストは安い

7 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:26:31.86 ID:ugBUZgFM0
ナノディメンションって株持ってるんだけど救われる?
9 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:29:27.27 ID:vksaV0c00
東京エレクトロンは何してんだ
10 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:30:12.78 ID:JRDz8fMb0
>>9
ガチホでいいじゃん
18 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:38:48.83 ID:lW1imPGh0
>>9
東京エレクトロンは露光装置製造には関係ねえ
11 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:31:11.24 ID:It+NoO2o0
石破が潰して中韓にタダで献上します
12 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:32:58.74 ID:c8o+yZoN0
お・れ・た・ち・TIM!
13 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:33:14.21 ID:TF2CFXNF0
Intelがeuv使ってるかわからんからね
14 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:33:32.29 ID:hKPVO1lU0
モールド屋がもうかるな
15 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:34:12.29 ID:THzoQoWC0
ロジックは無理だからDRAMとかNANDで頑張ってくれ
16 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:36:51.66 ID:JRDz8fMb0
info-os関係でどこが来るか調べないとね
19 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:41:08.66 ID:8qIZXUJ60
これ10年以上前から学会で発表してたな
20 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:46:06.86 ID:V7G0PmJ/0
形状的に大量生産用か
21 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:52:59.07 ID:XYuLfU5n0
ノード、工程によっては使えるところも有るけど主流にはならないよ
22 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:53:57.78 ID:yWRrl77e0
だいたいコケる
23 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:57:08.78 ID:/kZuwbJ50
キャノンの時点でダメくさい
24 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 12:59:30.15 ID:cYQ7l0CO0
位置精度揺らぐんだと思う
だからIntel言わないんだよ
27 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 13:18:32.30 ID:r57pwWJU0
印刷式って歩留まりが悪い印象
JDIがやってた印刷式有機ELも歩留まりが悪すぎて頓挫
28 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 13:23:45.81 ID:rSv+nLka0
プリントゴッコはやめて版画に戻しますってこと?
29 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 13:23:54.62 ID:YsNMZ73d0
2年ぐらい前から発売のCanon、Nikon
アライメント(オプション)→東エレコーター→露光→東エレ現像→
30 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 13:32:36.88 ID:GzpX0cDQ0
半導体のエンジニアから言わせると
今は重ねたり設計を洗練させることで
それより微小化された半導体を
超える性能を出せるので
⚪︎nmといった基準で競う意味無いらしいな
環境負荷が高すぎるEUVは必要なかったんだよ
31 名前:一般よりも上級の名無しさん 投稿日時:2024/09/30(月) 13:39:20.40 ID:mz+P0cam0
>>30
今までの高クロック化ってパッケージの外に配置した
チップとの通信のせいがあったからね
でもAMDとTSMCのパッケージングの高度化のおかげで
今や出来上がった半導体削ってSRAMのせて接続とかやってるもんな
パッケージ内に並べるのはまだわかるが半導体削って後乗せする時代になるとはって感じ

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